密电阻是种，主要是有高度，低温漂和高可靠性的种电阻器。温漂可以做到1ppm，度可以做到0.01%。
金属膜密电阻的主体通常为圆柱形；线绕密电阻则有圆柱形、扁柱形和长方框架形几种；金属箔密电阻则常呈方块形或片形。线绕密电阻的匝数较多时，往往采用无感绕制法绕制，正向绕制的匝数和反向绕制的匝数相同，以尽量减小分布电感。长方框架形的线绕密电阻通常是设备制造厂根据需要门定制的，常用于仪器仪表。
对1ω（欧姆）以上阻值的电阻，与标识阻值相比±0.5%以内阻值误差的电阻可称为密电阻，更高密的可以做到0.01%度，也就是电子工程师所说的万分之度，此类电阻般为薄膜电阻，使用此材质的电阻般才能满足生产工艺要求。这类阻值1ω以上电阻的普通系列密度在±5%以上，电子产品上常见的就是5%度的电阻，不属于密电阻范围。1ω以下阻值的电阻，般能达到±1%密度之内，就算做密电阻范畴了，因为阻值基数很小，就算是1%的误差，实际的阻值误差已经很小了。更高密的可以做到±0.5%以内，但工艺要求，技术要求较高。
密电阻的特性：
密电阻，是指电阻的阻值误差、电阻的的热稳定性（温度系数）、电阻器的分布参数（分布电容和分布电感）等项指标均达到定标准的电阻器。密电阻要求电阻的阻值误差、电阻的热稳定性（温度系数）、电阻器的分布参数（分布电容和分布电感）等项指标均达到定标准的电阻器。
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