紫外接触式光刻机-半导体工艺
evg610支持各种标准光刻工艺，如真空，硬，软接触和接近式曝光模式，可选择背部对准方式。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（nil）。evg610提供快速处理和重新加工，以满足不断变化的用户需求，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户，非常适合大学和研发应用。
紫外接触式光刻机-半导体工艺 产品详情
紫外接触式光刻机-半导体工艺
设备咨询：娄先生 1312-297-6482
evg610支持各种标准光刻工艺，如真空，硬，软接触和接近式曝光模式，可选择背部对准方式。此外，该系统还提供其他功能，包括键合对准和纳米压印光刻（nil）。evg610提供快速处理和重新加工，以满足不断变化的用户需求，转换时间不到几分钟。其先进的多用户概念适合初学者到专家级各个阶层用户，非常适合大学和研发应用。
evg光刻机应用
mems，rf器件，功率器件，化合物半导体等方面的图形光刻应用
特点：
晶圆/基片尺寸从零碎片到200毫米/ 8英寸
顶部和底部对准功能
高精度对准
自动楔形补偿序列
电动的和程序控制的曝光间隙
支持uv-led技术
系统占地面积小
分步流程指引
远程技术支持
多用户概念（***数量的用户帐户和程序，可分配的访问权限，不同语言）
敏捷的处理和转换重新加工
台式或独立式带防振花岗岩台面
附加功能：
键合对准
红外对准
纳米压印光刻（nil）
关键技术参数：
顶部对准精度：≤ ± 0,5 微米
底部对准精度：≤ ± 2,0 微米
红外对准模式：≤ ± 2,0 微米/取决于基片的材料
接触：硬、软接触，真空
曝光间隙：1 - 1000 微米
线宽精度：1微米