即时检测 wafer基板于研磨制程中的膜厚 玻璃基板于减薄制程中的厚度变化 (强酸环境中) 产品特色 非接触式、非破坏性光学式膜厚检测 采用分光干涉法实现高度检测再现性 可进行高速...
分光干涉式晶圆膜厚仪 sf-3 产品详情
即时检测wafer基板于研磨制程中的膜厚玻璃基板于减薄制程中的厚度变化(强酸环境中)
产品特色
非接触式、非破坏性光学式膜厚检测采用分光干涉法实现高度检测再现性可进行高速的即时研磨检测可穿越保护膜、观景窗等中间层的检测可对应长工作距离、且容易安裝于产线或者设备中体积小、省空間、设备安装简易可对应线上检测的外部信号触发需求采用膜厚检测的独自解析演算法。(已取得)可自动进行膜厚分布制图(选配项目)
规格式样
sf-3
膜厚测量范围
0.1 μm ~ 1600 μm※1
膜厚精度
±0.1% 以下
重复精度
0.001% 以下
测量时间
10msec 以下
测量光源
半导体光源
测量口径
φ27μm※2
wd
3 mm ~ 200 mm
测量时间
10msec 以下
※1随光谱仪种类不同,厚度测量范围不同※2最小φ6μm