az p4620 正性光刻胶特点超厚膜，高对比度，高感光度正型光刻胶，适用于半导体制造及gmr磁头制造。
az p4620 光刻胶 产品详情
az光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于半导体行业。
az光刻胶特点：
高对比度，高感光度
高附着性，对电镀工艺高耐受性
多种黏度可供选择
az光刻胶工艺条件：
前烘：100℃ 90秒(dhp)
曝光：g线步进式曝光机/接触式曝光机
显影：az300mif显影液 (2.38%)23℃60~300秒puddle
清洗：去离子水30秒
后烘：120℃60秒以上
剥离：az剥离液及/或氧等离子体灰化
az光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。高感光度,高产出率；高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进；广泛应用于半导体行业。
光刻胶产品型号及参数
光刻胶名称 型号 匀胶厚度
merck az 正/负可转换型光刻胶 az 5214 0.5-6um
az 50xt 正胶 az 50xt 40-80um
az 9260 正胶 az 9260 6.2-15um
az 4620 光刻胶 az 4620 10-15um
microchem su-8 负胶 su-8 2015 13-38um
microchem su-8 负胶 su-8 2050 40-170um
microchem su-8 负胶 su-8 2075 60-240um
microchem su-8 负胶 su-8 2150 190-650um
microchem su-8 负胶 su-8 3010 8-15um
microchem su-8 负胶 su-8 3050 44-100um
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