对于度不太高的电阻，我们可以不分，笼统的说某电阻度是多少。比如0.1%度的电阻，就是个综合误差，实际上是说，在常温下(比如10℃-35℃)、1年之内，包括所有的误差，应该仍然能电阻在0.1%之内。
但是，对于要求高的地方，电阻的具体特性将被测试，这样才好选用。本文就将把常见的高度电阻器按照温度系数和老化两个指标做描述。
常见的密电阻有三类：金属膜电阻、线绕电阻和块电阻。
金属膜电阻是常见的，但好些的为密金属膜电阻，特点是温度系数不大，阻值比较稳定。但由于膜比较薄因此相对脆弱些，螺旋切割和压接部分容易出问题。
对1ω（欧姆）以上阻值的电阻，与标识阻值相比±0.5%以内阻值误差的电阻可称为密电阻，更高密的可以做到0.01%度，也就是电子工程师所说的万分之度，此类电阻般为薄膜电阻，使用此材质的电阻般才能满足生产工艺要求。这类阻值1ω以上电阻的普通系列密度在±5%以上，电子产品上常见的就是5%度的电阻，不属于密电阻范围。1ω以下阻值的电阻，般能达到±1%密度之内，就算做密电阻范畴了，因为阻值基数很小，就算是1%的误差，实际的阻值误差已经很小了。更高密的可以做到±0.5%以内，但工艺要求，技术要求较高。
对于度不太高的电阻，我们可以不分，笼统的说某电阻度是多少。比如0.1%度的电阻，就是个综合误差，实际上是说，在常温下（比如10℃-35℃）、1年之内，包括所有的误差，应该仍然能电阻在0.1%之内。对于要求高的地方，电阻的具体特性将被测试，这样才好选用。本文就将把常见的高度电阻器按照温度系数和老化两个指标做描述。
密薄膜电阻
密薄膜电阻的技术发展代表了可以被大量商用的密电阻技术，也是目前流行的密电阻技术。通过长时间多层的膜层沉积，高密的调阻和后期的筛选，优的密薄膜电阻可以达到±2ppm/°c的温飘和±0.01%的度，以及很好的长期稳定性。其缺点是功率做不大，低阻值部分指标不好，不抗静电，功率系数差，很难满足小批量的供货，且不同批次的致性不好。
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