稳压二极管浪涌电流    izm---大稳压电流。在大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流    if---正向总瞬时电流    ir---反向总瞬时电流    ir---反向恢复电流    iop---工作电流  
  is---稳流二极管稳定电流    f---频率
贴片二极管广东厂家 产品详情
稳压二极管浪涌电流izm---大稳压电流。在大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流if---正向总瞬时电流ir---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流iop---工作电流
is---稳流二极管稳定电流f---频率
n---电容变化指数；电容比q---优值（品质因素）δvz---稳压管电压漂移
di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率pb---承受脉冲烧毁功率
pft（av）---正向导通平均耗散功率pftm---正向峰值耗散功率
pft---正向导通总瞬时耗散功率pd---耗散功率
pg---门极平均功率pgm---门极峰值功率
pc---控制极平均功率或集电极耗散功率pi---输入功率
pk---大开关功率
pm---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的大功率pmp---大漏过脉冲功率pms---大承受脉冲功率po---输出功率
pr---反向浪涌功率ptot---总耗散功率
pomax---大输出功率
psc---连续输出功率psm---不重复浪涌功率
pzm---大耗散功率。
在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的大功率
rf（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△v，正向电流相应增加△i，则△v/△i称微分电阻
rbb---双基极晶体管的基极间电阻
re---射频电阻rl---负载电阻
rs(rs)----串联电阻rth----热阻
r(th)ja----结到环境的热阻rz(ru)---动态电阻
r(th)jc---结到壳的热阻rδ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻ta---环境温度tc---壳温
td---延迟时间tf---下降时间
tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间tj---结温
tjm---结温ton---开通时间toff---关断时间
tr---上升时间
trr---反向恢复时间ts---存储时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数
λp---发光峰值波长△λ---光谱半宽度
η---单结晶体管分压比或效率vb---反向峰值击穿电压vc---整流输入电压
vb2b1---基极间电压
vbe10---发射极与基极反向电压veb---饱和压降
vfm---大正向压降（正向峰值电压）vf---正向压降（正向直流电压）△vf---正向压降差
vdrm---断态重复峰值电压
vgt---门极触发电压