产品介绍：gesbte是一种相变储存材料，基于锗锑碲化物的相变存储器(pcm)显示出显著的商业化潜力,是nor型闪存和部分dram市场的一项替代性存储器技术，是一种极具潜力的未来新型半导体存储芯片技术。
产品性能：成分
ge,sb,te（不同原子比）
纯度
99.99%
密度
>98%,6.38g/cm3
尺寸
50.8mm - 300mm
公差
直径：±0.1mm,厚度：±0.1mm
粗糙度
32rms
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公司还提供碲化镉，碲化锌，碲化铋，碲化铜，碲化锑，碲化锗，碲化铅，硒化锌，硒化锗，硒化铟，硒化铜，硒化铋，锑化铋，锑化铟，锑化镉，硫化铟，硫化镉，硫化锑，硫化砷，硫化铜，硫化锡，硫化铋，硫化锗，硫化锌，铜铟镓硒，铜镓硒，铋碲硒，锗锑碲，氧化锌，氧化铝，氮化镓，氮化铟，氮化铝等等靶材和粉末。
联系人：冉松林
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