掺铌钛酸锶（nb:sto）晶体
掺铌钛酸锶（分子式为nb:srtio3）:掺铌钛酸锶单晶与纯钛酸锶有相似的结构，但有导电性。掺铌钛酸锶的电阻率在0.1 – 0.001 w-cm之间变化随着掺铌浓度在0.01 ～ 0.001 wt %之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。 
掺铌钛酸锶与钛酸锶单晶具有相似的结构，但nsto具有导电性。目前我们可以提供掺铌浓度为：0.05％，0.1％，0.5％ 和0.7％的nb:srtio3，
主要性能参数
nb:srtio3 级别
a
b
c
d
nb 浓度(wt%)
1.0
0.7
0.5
0.1
电阻率 ohm-cm
0.0035
0.0070
0.05
0.08
迁移率 cm2/vs
9.0
8.5
8.5
6.5
特点
nb:srtio3与srtio3单晶具有相似的结构，但nsto具有导电性。电阻率范围在0.1~0.001wt%之间不同。传导的单晶基片为薄膜和器件提供了电极。
尺寸
10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，
ф15,ф20，ф1″，
厚度
0.5mm，1.0mm
抛光
单面或双面
晶向
＜100＞  ＜110＞  ＜111＞
晶面定向精度:
±0.5°
边缘定向精度:
2°（特殊要求可达1°以内）
斜切晶片
可按特定需求，加工边缘取向的晶面按特定角度倾斜（倾斜角1°－45°）的晶片
ra:
≤5å（5µm×5µm）
包装
100级洁净袋，1000级超净室
基本性质
产品规格
nb:sto级别
a
b
c
nb掺杂浓度（wt%）
1.0
0.7
0.5
电阻率（ohm-cm）
0.0035
0.0070
0.05
迁移率 cm2/vs
9.0
8.5
8.5
标准尺寸
5×5×0.5mm,10×10×0.5mm
单抛或双抛ra < 8å
可根据客户的要求提供特殊方向和尺寸
欢迎来电咨询。

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陈
18600211078
朝阳区四惠桥凌科商务花园329