sputterglow等离子溅射沉积系统plasma sputteringsystem
sputterglow 等离子溅射沉积系统
tungroma为您推荐的sputterglow系统适用于：薄膜，溅镀，pvd，薄膜沉积，真空镀膜，金属或介电质薄膜沉积等。sputterglow是一个灵活的溅射沉积系统，可用来处理200mm晶圆片，156mm×156mm毫米太阳能电池或更小的晶片sputterglow最多可以有三个过程站（每站可配置加热，溅射沉积或溅射刻蚀）。
sputterglow最初是为在光伏电池上沉降si3n4减反射涂层，应用于在光电材料上镀钝化膜/减反射膜。光伏研究人员发现sputterglow在此的应用完美的替代等离子体增强化学气相沉积（pecvd）。因为sputterglow不需要用硅烷（sih4）氮化沉降。许多研究者认为使用溅射薄膜处理最终的钝化/减反射光涂层有较强的优势，可以制得高效率的光伏电池。
产品特点
ø 反应溅射沉积si3n4或其他薄膜，沉积介电质或金属
ø 在实验室安装方便，避免了硅烷气体等危险气体的使用
ø 可以安装三个靶-灵活的镀不同的薄膜
ø 直径200mm晶片（或更小）或156mm×156mm太阳能电池
ø 专有的光加热方式——基片不旋转
ø 650w 红外灯-允许工艺在200℃进行
ø 1200w rf(13.56mhz)发生器
ø 自动调谐
ø 涡轮增压机和后部真空泵
ø 水冷磁控溅射
ø 机械手传动基片
ø 电脑或手动控制
ø 4个mfc和多种气体混合器
选配
ø 加热器—最大400℃
ø 基片偏压—提高粘度和薄膜结构
ø rga--腔体残余气体的监测
ø 循环靶冷却
ø 大涡轮增压机和泵
ø 额外的mfs
ø 观察窗口
ø 腔体：34”直径×11”高
灵活性
有三个工作腔站，满足不同的工艺。单独的工作站可以用于加热，溅射或刻蚀。用于科研或小规模生产需要。
专有设计
专有的平面磁控管设计产生等离子。此设计延长了溅射靶存在时间，提高了沉积的均匀性，提高溅射速率，降低基片的温度。
根据您薄膜形态控制的需要，可进行偏压电极设计。您的工艺需要，也可进行冷却溅射平台选择。运行压力和气体流量灵活可控。
电源
sputterglow可以配置rf，dc 或脉冲dc电源。用于沉积多种材料，介电材料，半导体，金属和磁性材料。脉冲dc可以替代rf电源，进而可以取消调谐器。一个dc电源专注溅射金属或磁性材料。
基片的移动和机器控制
例：在太阳能电池上镀si3n4的典型移动和工艺：
（a）    在1#工作腔基片安在装载台上。
（b）     基片装载台和基片通过内置的机械臂移动到2#工作腔（加热腔）
（c）     基片达到预定的设定温度，基片装载台和基片移动到3#工作腔（溅射腔）。
（d）    溅射结束，机械臂把基片装载台和基片移动到1#工作腔
（e）     系统恢复大气压，基片手动取回
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