品牌FAIRCHILD/仙童	型号FDG6316P
种类结型(JFET)	沟道类型P沟道
导电方式增强型	封装外形SMD(SO)/表面封装
材料P-FET硅P沟道

产品属性 属性值 
制造商: on semiconductor 
产品种类: mosfet 
rohs:  详细信息  
技术: si 
安装风格: smd/smt 
封装 / 箱体: sot-323-6 
通道数量: 2 channel 
晶体管极性: p-channel 
vds-漏源极击穿电压: - 12 v 
id-连续漏极电流: - 700 ma 
rds on-漏源导通电阻: 270 mohms 
vgs - 栅极-源极电压: 8 v 
***小工作温度: - 55 c 
工作温度: + 150 c 
配置: dual 
pd-功率耗散: 300 mw 
通道模式: enhancement 
商标名: powertrench 
封装: cut tape 
封装: mousereel 
封装: reel 
高度: 1.1 mm  
长度: 2 mm  
产品: mosfet small signal  
系列: fdg6316p  
晶体管类型: 2 p-channel  
类型: mosfet  
宽度: 1.25 mm  
商标: on semiconductor / fairchild  
正向跨导 - ***小值: 2.5 s  
下降时间: 13 ns  
上升时间: 13 ns  
工厂包装数量: 3000  
典型关闭延迟时间: 8 ns  
典型接通延迟时间: 5 ns  
零件号别名: fdg6316p_nl  
单位重量: 28 mg
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