飞思卡尔半导体
技术数据
射频功率场效应晶体管
n沟道增强模式横向的mosfet
宽带商业和工业应用的设计与频率
高达470兆赫。这些高增益和宽带性能
设备，使他们的理想，为大信号，共源放大器应用
在12.5伏移动调频设备。
•指定的性能@470兆赫，12.5伏特
输出功率吗？ 70瓦
功率增益？ 10分贝
效率？ 50％
•能够处理20时01驻波，@15.6 vdc，470兆赫，2分贝高速
特点
•优良的热稳定性
•具有系列大信号等效阻抗参数
•在整个频段的宽带全功率：135-175兆赫
400-470兆赫
•宽带示范放大器的信息，应要求提供
•200？c能干的塑料包装
•n个后缀表明无铅终端。符合rohs标准。
•可用的磁带和卷轴。 t1的后缀=500个单位，每44毫米，13英寸卷轴。
联系方式：
电话: 周先生
qq:1965460848
市场价格最低！！！

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周仁杰
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