cm200du-12nfh-----深圳市安科半导体科技有限公司
cm200du-12nfh品牌：三菱(mitsubishi)
cm200du-12nfh产地：日本进口
cm200du-12nfh数量：1000
cm200du-12nfh批号：2013年预定全新年份
cm200du-12nfh备注：全新原装现货
cm200du-12nfh类型：igbt功率模块/igbt智能模块
三菱集团（mitsubishigroup）是由原先日本三菱财阀解体后的公司共同组成的一个松散的实体，mitsubishi这个名字中的mitsu表示“三”，而bishi表示“菱角”。第一家三菱企业是岩崎弥太郎于1870年接手官方经营的长崎造船厂，1873年造船厂更名为三菱商会。接着三菱开始涉足采矿、造船、银行、保险、仓储和贸易，随后又经营纸、钢铁、玻璃、电气设备、飞机、石油和房地产。现在三菱已建立起一系列的企业，在日本工业现代化的过程中扮演着举足轻重的角色。
mitsubishi igbt,type cm200du-12nfh,
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● 英飞凌(eupec):  igbt功率模块、单管igbt、1单元、2单元、6单元(600v-6500v)
● 三 菱:  igbt模块、pim、焊机模块(600v-2500v)
● 富 士:igbt模块、ipm、pim(600v-3300v)
● 艾赛斯:  半桥、全桥、三相桥、整流桥(660v-1700v)
 ■ 瑞士lem霍尔传感器、电流传感器、电压传感器；
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公司推出冷mos管，它采用“超级结”(super-junction)结构，故又称超结功率mosfet。工作电压600v～800v，通态电阻几乎降低了一个数量级，仍保持开关速度快的特点，是一种有发展前途的高频功率半导体电子器件。
　　igbt刚出现时，电压、电流额定值只有600v、25a。很长一段时间内，耐压水平限于1200v～1700v，经过长时间的探索研究和改进，现在igbt的电压、电流额定值已分别达到3300v/1200a和4500v/1800a，高压igbt单片耐压已达到6500v，一般igbt的工作频率上限为20khz～40khz，基于穿通(pt)型结构应用新技术制造的igbt，可工作于150khz(硬开关)和300khz(软开关)。
　　igbt的技术进展实际上是通态压降，快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同，igbt在20年历史发展进程中，有以下几种类型：穿通(pt)型、非穿通(npt)型、软穿通(spt)型、沟漕型和电场截止(fs)型。
　碳化硅sic是功率半导体器件晶片的理想材料，其优点是：禁带宽、工作温度高(可达600℃)、热稳定性好、通态电阻小、导热性能好、漏电流极小、pn结耐压高等，有利于制造出耐高温的高频大功率半导体电子元器件。
　　可以预见，碳化硅将是21世纪最可能成功应用的新型功率半导体器件材料。
专业功率igbt模块代理/批发:.三菱、英飞凌、eupec、富士、东芝、三社、三垦、西门康、st、ir,ixys,日立等品牌
■ igbt模块、igbt单管、igbt驱动
三菱（mitsubish）不是一个单独的公司，是由众多的独立公司组成的团体，其中大多数公司使用“三菱”这一名称，但不会简单地自称“三菱”。三菱kinyokai（也被称为friday club，直译为星期五俱乐部）的核心成员有28家，三菱的成员公司约有500家，名称中有“三菱”的公司约有400家，另有数以百计的三菱公司名称中没有“三菱”。这些公司的商业活动是独立进行的，甚至在很多领域彼此竞争，
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