《igbt的工作特性包括静态和动态两类》
1 ．静态特性:igbt的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。
igbt的伏安特性是指以栅源电压ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压
之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压ugs的控制，ugs越高，
id越大。它与gtr的输出特性相似．也可分为饱和区
1 、放大区
2和击穿特性
3部分。在截止状态下的igbt ，正向电压由j2结承担，反向电压由j1
结承担。如果无n+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入
n+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了igbt
的某些应用范围。
igbt的转移特性是指输出漏极电流id与栅源电压ugs之间的关系曲线。
它与mosfet的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压ugs(th) 时，
igbt处于关断状态。在igbt导通后的大部分漏极电流范围内，id
与ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值
一般取为15v左右。igbt 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间
的关系。igbt处于导通态时，由于它的pnp晶体管为宽基区晶体管，
所以其b值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过mosfet的电流
成为igbt总电流的主要部分。此时，通态电压uds(on) 可用下式表示
uds(on) ＝uj1 ＋udr ＋idroh 式中uj1 —— ji 结的正向电压，
其值为0.7 udr ——扩展电阻rdr 上的压降；roh ——沟道电阻。
通态电流ids 可用下式表示：ids=(1+bpnp)imos式中imos ——
流过mosfet 的电流。由于n+区存在电导调制效应，所以igbt的通
态压降小，耐压1000v 的igbt通态压降为2～3v。
igbt处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。
2．动态特性igbt在开通过程中，大部分时间是作为mosfet
来运行的，只是在漏源电压uds下降过程后期，pnp晶体管由放大区
至饱和，又增加了一段延迟时间。
td(on)为开通延迟时间，tri 为电流上升时间。实际应用中常给出
的漏极电流开通时间ton即为td(on)tri之和。漏源电压的下降时间由
tfe1和tfe2组成，igbt在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。
因为mosfet关断后，pnp晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极
电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压uds(f)的
上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间tf
t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间t(off)=td(off)+trv
 十t(f) （2 －16 ）式中，td(off) 与trv 之和又称为存储时间。
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