广州ic产品型号8810，鼎泰丰注重产品质量。深圳市鼎泰丰电子科技有限公司是一家注册在深圳的高科技集成电路制造企业,是一家ic研发、设计、流片、封装、测试、销售、服务为一体的专业的制造企业，公司拥有一支实力雄厚、技术超前的科技研发团队，并和国内外众多知名流片、封测企业有着良好的合作关系。专注于为客户提供最优性价比的产品和最专业全面的ic解决方案，为更好地贴近客户品质需求，从而确保“dtf”品牌ic质量永横稳定。
主要参数
1.开启电压vt
·开启电压（又称阈值电压）：使得源极s和漏极d之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；
·标准的n沟道mos管，vt约为3～6v；
·通过工艺上的改进，可以使mos管的vt值降到2～3v。
2. 直流输入电阻rgs
·即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比
·这一特性有时以流过栅极的栅流表示
·mos管的rgs可以很容易地超过1010ω。
3. 漏源击穿电压bvds
·在vgs=0（增强型）的条件下 ，在增加漏源电压过程中使id开始剧增时的vds称为漏源击穿电压bvds
·id剧增的原因有下列两个方面：
（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿
（2）漏源极间的穿通击穿
·有些mos管中，其沟道长度较短，不断增加vds会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的id

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