产品名称：p-gaas（掺zn）单晶片                                   合同号：
产品名称
gaas单晶
掺杂剂
si
zn
载流子浓度               cm-3
（2～50）×1017
（2.58～4.76）×1019
电阻率          10-3/ω.cm
2.41-3.65
迁移率                  cm2/v.s
1000～3500
66
epd                          cm-2
 ＜10000
＜10000
直径                         mm
50.8±0.5,   62±0.5
50.8±0.5
主、次参考面长度       mm
16±1、7±1
厚度                          µm
（320）±10
晶向
（100）±0.5°
晶片表面状态
抛光片
ttv                          µm
＜10
warp                          µm
＜10

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